LED在高溫和電流應(yīng)力下，LED的封裝和透鏡都發(fā)生老化，顏色發(fā)黃、發(fā)光效率降低和色度參數(shù)特性發(fā)生變化，甚至失效。因此，LED的壽命跟工作條件關(guān)系緊密。針對LED在不同電流和溫度應(yīng)力條件下的老化研究尤為重要，為此，我們做了85℃和125℃下的高溫老化試驗，下面是大致實驗內(nèi)容。

試驗設(shè)備：環(huán)儀儀器 LED熱應(yīng)力試驗箱

試驗樣品：１W GaN基白光LED

研究內(nèi)容：LED高溫耐電（HTCD）和高溫存儲（HTS）兩種老化條件的光熱性能變化

實驗過程：

1.對所有樣品在常溫和正常工作電流條件下進(jìn)行1000h的預(yù)老化實驗，目的是剔除光色參數(shù)變化幅度較大的次品，驅(qū)動電路如下圖所示。

2.選擇綜合性能穩(wěn)定的樣品并將其分成兩組（每組5顆，編號從1到10）；接著，開展HTCD實驗及HTS實驗。

實驗條件：

1. HTCD 實驗條件為：LED熱應(yīng)力試驗箱溫度控制在 85±2℃下，工作電流If為 350 mA。此時，測得器件的結(jié)溫為125℃。在此條件下，老化1 000 h。

2. HTS 實驗條件為：無加載電流，調(diào)節(jié)LED熱應(yīng)力試驗箱的溫度為 125±2 ℃，使器件結(jié)溫與 HTCD 實驗的結(jié)果保持一致。以方便比較實驗結(jié)果，之后在該溫度下存儲1000 h。兩組實驗同時進(jìn)行，待實驗完成時樣品在室溫下放置 4 h，然后測試其光、熱性能參數(shù)。

實驗結(jié)果：

HTCD 實驗和 HTS 實驗后的硅膠圖

25 ℃和 350 mA 下老化0 h、預(yù)老化1000 h和高溫 85 ℃、驅(qū)動電流為 350 mA 下老化1000h的輻射功率分布圖

25 ℃和 350 mA 下老化0h、預(yù)老化1 000 h和 125 ℃下存儲 1000 h后的光譜功率分布圖

試驗結(jié)論：

結(jié)果表明，在 HTCD老化下，光通量衰減達(dá)到 40~60%;而 HTS下的衰減只有 10~14%。這說明，電流應(yīng)力對LED的壽命影響比較大。

如對以上試驗有疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。