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國家標準:GB/T 36356-2018 功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

文章出處 : 技術(shù)知識 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時間 : 2025-04-07

GB/T 36356-2018 是中國國家標準中關(guān)于功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范的標準。該標準為該領(lǐng)域的設(shè)計、制造和測試提供了規(guī)范和指導。


一、范圍:
本標準規(guī)定了功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡稱芯片)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、運輸和儲存等。
本標準適用于功率半導體發(fā)光二極管芯片。


二、試驗項目:
溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗,恒加速度試驗等。


三、試驗設(shè)備:
溫度沖擊試驗箱、離心機等。

《GB/T 36356-2018 功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》標準(圖1)


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五、試驗程序(部分):

1. 溫度循環(huán)
溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.3的規(guī)定。

2. 循環(huán)濕熱
循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.4的規(guī)定。

3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規(guī)定進行,試驗后符合3.5.5的規(guī)定。


GB/T 36356-2018 是在中國廣泛應(yīng)用于功率半導體發(fā)光二極管芯片的技術(shù)規(guī)范標準,有助于推動該領(lǐng)域的標準化和質(zhì)量控制。


文章標簽 : 國家標準

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