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倒裝芯片球柵格陣列(FC-BGA)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器等的中央處理器(CPU)或圖形處理器(GPU)，其可靠性非常重要。在FC-BGA的研發(fā)過(guò)程中，不同疊層在冷熱沖擊過(guò)程中所受的熱應(yīng)力和熱應(yīng)變不同，下面，我們就利用熱流儀對(duì)FC-BGA做相關(guān)試驗(yàn)研究。
試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 熱流儀（溫度循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)）
試驗(yàn)樣品：10 層疊構(gòu) FC-BGA 產(chǎn)品，如下示意圖
試驗(yàn)方法：
采用四線電阻測(cè)量?jī)x檢測(cè)在冷熱沖擊循環(huán)不同次數(shù)后的電阻，通過(guò)計(jì)算電阻變化率來(lái)評(píng)價(jià)產(chǎn)品的可靠性，每組試驗(yàn)測(cè) 5 個(gè)平行試樣。冷熱沖擊試驗(yàn)的參數(shù)為：-65 ℃低溫持續(xù) 15 min，然后1min內(nèi)轉(zhuǎn)換至 150 ℃高溫，保持 15 min，如此為 1 個(gè)循環(huán)。
試驗(yàn)分析：
從下圖可知，不同盲孔疊孔數(shù)在冷熱循環(huán)沖擊下的電阻變化率有所不同，盲孔疊孔數(shù)為4 階和 3 階時(shí)的電阻變化最明顯，在循環(huán)沖擊 1 000 次后電阻發(fā)生突變而失效。盲孔疊孔數(shù)為 2 階和 1 階時(shí)，在冷熱循環(huán)沖擊過(guò)程中的電阻變化不顯著，并且在循環(huán)沖擊 2 000 次后都未失效。
盲孔孔徑的影響：
不同盲孔孔徑產(chǎn)品在冷熱循環(huán)沖擊過(guò)程中的電阻變化率有所不同，盲孔孔徑為 50 μm的電阻變化最明顯，在循環(huán)沖擊 1 000 次后電阻發(fā)生突變而失效，盲孔孔徑為 55、 60 和65 μm 的電阻變化不明顯，并且在循環(huán) 2 000 次后都未失效。
如需了解更多熱流儀的試驗(yàn)方案，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
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